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下一代车载单面冷却IGBT??椤狤V-Type???。这是专门针对电动汽车的应用需求,而设计的新型??椴?。 EV-Type??橄嗟庇谌种坏腅D-Type???,如此小的尺寸内,实现了创纪录的高电流密度,并包含两个1.2kV/250A芯片组。不仅如此,电感远低于10nH,带来了较低过冲电压;低于0.9mOhm的极低接触电阻,带来了极低的导通压降。优异的SiN基板,提供了非常低的热阻和出色的功率循环能力内部热敏电阻完成封装。此外,EV-Type??檎攵跃夥至鹘辛擞呕?,具有低损耗和高可靠性的特征。同时也完全适用于碳化硅芯片。

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Single IGBT dual switch (~ ? of our ED-Type)

单IGBT双重开关(我们ED型的~?)

Record current density 1.2kV, 2x250A on 45x45x4mm3

在45x45x4mm3上记录电流密度1.2kV,2x250A

Very low inductance <10nH à significant lower over-voltage

极低电感<10nHà 过电压情况明显降低

Lowest contact resistance <0.9mΩ, Optimal use of low VCEsat IGBT

最低接触电阻<0.9mΩ,低VCEsat IGBT的最优利用

Low Rth and excellent cycling capability thanks to rugged SiN Substrate

低Rth及出色的循环能力,得益于优异的SiN基材

Integrated Thermistor  

集成热敏电阻

 


EV 组件


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