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i20 IGBT芯片

i20 IGBT芯片

i20 IGBT和d20 FRD芯片,电压/电流为1200V/250A,各项性能达到或超过了国际领军企业的同类产品。 i20 IGBT芯片,采用FS-Trench结构,即正面精细沟槽+背面场截止,并通过N型增强、窄台面、短沟道、超薄基底、优化P+、3D结构等多项优化设计,从而带来了高达250A的卓越表现。





 

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